劉建邦博士於2019年在國立成功大學微電子工程研究所取得博士學位,期間研究專注於寬能隙半導體材料與先進製程技術。博士畢業後,赴美國加州大學洛杉磯分校(UCLA)奈米系統中心擔任訪問學者,進行氮化鎵(GaN)與相關化合物半導體於光電與電子元件之應用研究。
自2009年至2022年間,劉博士累積逾十年的半導體產業經驗,先後服務於美商德州儀器(Texas Instruments)及美商美光科技(Micron Technology),擔任製程整合元件經理,專責先進製程開發、可靠度分析及全球技術移轉。研究專長涵蓋寬能隙半導體(GaN、AlGaN)、光電半導體、半導體先進製程與封裝、可靠度分析及材料開發。近年研究重點包括 GaN on Si、深紫外AlGaN LED、GaN HEMT高電子移動率電晶體可靠度分析、可撓式微型LED(μ-ILED)、高功率GaN元件,以及次世代記憶體技術(含HBM, EUV導入製程與1γ節點HKMG CMOS技術)和金屬線材鍵合技術分析與應用開發。
劉博士於2025年8月加入東海大學化學工程與材料工程學系,受聘為助理教授,未來將致力於推動半導體材料與先進製程整合技術之教學與研究。其代表性研究成果刊登於 Journal of Power Sources, Journal of Materials Processing Technology、Journal of Alloys and Compounds 等國際期刊,並取得美國專利 US20230233068A1(2023)。 |